一种Zr基非晶涂层及其制备工艺和其在电净化中的应用

专利号：CN202110633673.0

公布日：2022-09-13

申请人：珠海格力电器股份有限公司

一种半导体器件及其形成方法

专利号：CN201810179262.7

公布日：2019-05-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种半导体器件及其形成方法

专利号：CN202310705694.8

公布日：2023-08-01

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液及蚀刻方法

专利号：CN201110421439.8

公布日：2013-06-19

申请人：比亚迪股份有限公司

电晶膜复合滤芯

专利号：CN202211136077.2

公布日：2022-12-20

申请人：上海聚蓝水处理科技有限公司

制造半导体器件的方法

专利号：CN200610074189.4

公布日：2006-11-01

申请人：印芬龙科技股份有限公司

一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构

专利号：CN202010838556.3

公布日：2021-12-14

申请人：福建省晋华集成电路有限公司

一种调控纳米非晶颗粒尺寸的方法

专利号：CN201710153635.9

公布日：2018-10-09

申请人：南京理工大学

一种基于非晶态-纳米晶复合结构的柔性电致变色器件及其制备方法

专利号：CN201610729707.5

公布日：2019-03-22

申请人：北京工业大学

薄膜晶体管及其制作方法

专利号：CN201910117376.3

公布日：2020-11-03

申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜及其电化学沉积方法和应用

专利号：CN201810745016.3

公布日：2018-11-30

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

半导体装置及其制造方法

专利号：CN201910314914.8

公布日：2019-11-26

申请人：瑞萨电子株式会社

形成铁电膜的方法及使用其形成电容器和存储器件的方法

专利号：CN200510106861.9

公布日：2006-05-10

申请人：三星电子株式会社

X射线/质子影像探测器

专利号：CN201120362903.6

公布日：2012-06-13

申请人：浙江硅萃影像科技有限责任公司

一种利用电子束诱导在非晶中生长纳米级二维材料的方法

专利号：CN202310221603.3

公布日：2023-06-02

申请人：兰州大学